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SI8275BB-IM1R

制造商：Silicon Labs

批号：19+

数量：2000+

功能：4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR

SI8275BB-IM1R 详细信息
  • 包装标准卷带
  • 系列汽车级，AEC-Q100
  • 零件状态有源
  • 技术容性耦合
  • 通道数2
  • 电压 - 隔离2500Vrms
  • 共模瞬态抗扰度（最小值）150kV/µs
  • 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）60ns，60ns
  • 脉宽失真（最大）8ns
  • 上升/下降时间（典型值）10.5ns，13.3ns
  • 电流 - 输出高，低1.8A，4A
  • 电流 - 峰值输出4A
  • 电压 - 正向（Vf）（典型值）-
  • 电压 -输出供电4.2V ~ 30V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳14-VDFN
  • 供应商器件封装14-QFN（5x5）
  • 认可CQC，CSA，UL，VDE
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  • 可选

现货极具优势

无起订量限制

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